5．通过激光剥离LLO（laser lift-off）获得独支撑GaN衬底和材料，这样可以把位错密度降低两个数
位，同
延获得
的GaN。
Homoepitaxy can obtain high quality GaN.
延5．通过激光剥离LLO（laser lift-off）获得独支撑GaN衬底和材料，这样可以把位错密度降低两个数位，同延获得的GaN。
Homoepitaxy can obtain high quality GaN.
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